氮化硼(BN)作為寬帶隙材料具有優(yōu)異的物理性質(zhì)和良好的化學惰性，是制作高可靠性器件與電路的理想電子材料之一。與碳納米管的電子結(jié)構(gòu)明顯依賴于管徑與螺旋度等因素不同，BN納米管通常表現(xiàn)出穩(wěn)定一致的電學特性，在未來的納電子學領(lǐng)域有著非常誘人的應用前景。而實現(xiàn)BN納米管的摻雜，誘導其半導體特性，是實現(xiàn)該材料在納電子學領(lǐng)域應用的關(guān)鍵，也是研究者普遍感興趣和追求目標。 最近，中國科學院物理所微加工實驗室的顧長志研究員等人與日本物質(zhì)材料研究機構(gòu)(NIMS)的同事合作，采用化學氣相沉積方法，在生長BN納米管的同時實現(xiàn)了F的均勻摻雜，獲得了N型的BN半導體納米管。他們對F摻雜BN納米管的結(jié)構(gòu)進行了系統(tǒng)表征，證明了這是一種穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)。為實現(xiàn)對F摻雜BN納米管本征物性的研究，他們利用電子束光刻與Lift-off微加工技術(shù)，在分散提純的單根F摻雜BN上制作出用于輸運性質(zhì)測量的微電極，研究了單根F摻雜BN納米管的電導特性，發(fā)現(xiàn)F摻雜實現(xiàn)了BN納米管從絕緣體向半導體的轉(zhuǎn)變，低于5%的F摻雜濃度使BN納米管的電導提高3個數(shù)量級以上。這一結(jié)果為采用該材料制作納電子器件的研究奠定了基礎(chǔ)。該成果發(fā)表在J. Am. Chem. Soc. 127，6552 (2005)上。