產(chǎn)生光電導(dǎo)現(xiàn)象的方法主要有導(dǎo)帶與價(jià)帶之間的躍遷、子帶之間的躍遷或者雜質(zhì)帶激發(fā)，目前人們普遍認(rèn)為由遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體禁帶能量的光子直接激發(fā)的室溫光電導(dǎo)機(jī)制是不可能實(shí)現(xiàn)的。中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所黃志明研究員團(tuán)隊(duì)研究發(fā)現(xiàn)并提出一種太赫茲波段室溫新光電導(dǎo)現(xiàn)象(見下圖)：當(dāng)外部電磁波(光子)入射到器件上，將在半導(dǎo)體材料中誘導(dǎo)勢(shì)阱，從而束縛來自于金屬中的載流子，使得材料中載流子濃度發(fā)生改變。黃志明團(tuán)隊(duì)成功制備出相關(guān)器件，并通過實(shí)驗(yàn)證明了所提出理論的正確性。

　　有關(guān)研究結(jié)果已于9月1日在線發(fā)表在Advanced Materials (DOI:10.1002/adma.201402352)上。此項(xiàng)研究結(jié)果證明了遠(yuǎn)小于禁帶能量的光子激發(fā)的室溫光電導(dǎo)機(jī)制，并跳出了傳統(tǒng)的基于帶間躍遷、子帶能級(jí)躍遷，以及雜質(zhì)帶激發(fā)產(chǎn)生光電導(dǎo)的限制，解決了室溫下遠(yuǎn)小于禁帶能量光子直接產(chǎn)生光電導(dǎo)這一難題。它將對(duì)半導(dǎo)體、超材料、等離子體和太赫茲低能光子探測(cè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。